英特尔在18A工艺上取得进展 超越三星的2nm但仍落后于台积电英特尔阵营终于传来好消息，据报道，18A 工艺的良率已高于竞争对手目前的水平，良率足以在 2025 年第四季度实现 HVM，并首次与 Panther Lake SoC 集成。
根据
KeyBanc Capital Markets 的分析，一份研究报告声称，英特尔 18A 节点的开发进展迅速，其良率高于三星的 SF2，但落后于台积电的 N2。这表明英特尔有望在今年年底前实现大规模量产。
我们持续收到关于英特尔 18A 工艺的建设性反馈，并获悉目前的良率已从上一季度的 50% 提升至 55%。相比之下，三星的 2nm 工艺 (SF2) 良率约为 40%，略有提升，但低于台积电的 N2 工艺，后者的良率目前为 65%。
在现阶段，良率的稳步提升对英特尔至关重要，尤其是在18A工艺更专注于Panther Lake等内部产品的情况下；因此，英特尔必须确保这一阶段的顺利完成。谈到PTL，KeyBanc指出，英特尔有望实现下一代移动CPU的18A量产，预计到2025年第四季度良率将达到70%。虽然英特尔的良率预计不会超过台积电，但拥有一个强大的节点对英特尔来说已经足够了。
英特尔 18A 工艺节点的未来前景一直存在不确定性，但该公司内部的使用足以证明该工艺的成功。英特尔计划先以 18A 工艺在尖端领域站稳脚跟，然后再以 14A 工艺向外部客户转型。这一决定将使他们能够在市场上推出更具竞争力的产品，并有可能与台积电的 A14 展开竞争。我们仍在等待 Panther Lake 在消费级市场的表现。
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