3D DRAM验证成功 AI内存将迎来革命via cnBeta全文版

2026年4月23日，美国新创人工智能和存储技术厂商NEO Semiconductor正式宣布，其3D X-DRAM技术已成功完成概念验证（Proof-of-Concept，POC），证明这种新型3D堆叠内存可以利用现有的3D NAND Flash生产线进行制造，为AI时代的高密度、低功耗、低成本内存解决方案铺平了道路。 3D X-DRAM技术完成概念验证，性能远超现有标准 据介绍，此次3D X-DRAM技术概念验证芯片由NEO Semiconductor与台湾阳明交通大学产学创新学院（IAIS）合作开…