SK hynix计划在今年量产375层3D NAND闪存 改用钼材料以突破工艺瓶颈via cnBeta全文版

据业内消息，SK hynix 已完成其 375 层 NAND 闪存产品的验证工作，预计将在 2026 年底前正式在现有工厂中投入量产，以满足不断增长的存储容量需求。 这些工厂目前主要生产的是 321 层 V9 NAND 闪存，未来将通过工艺转换来支持更高层数的堆叠解决方案。 在 NAND 闪存堆叠层数的竞赛中，SK hynix 与三星正展开激烈比拼。 三星此前已透露将通过双堆叠方案将 V-NAND 层数推升至 400 层以上，并已展示最高可达 900 层、并以 1000 层为目标的技术路线图，而 SK hynix…