日本研究团队开发出新一代磁性存储材料
日本量子科学技术研究开发机构等的研究团队开发出新一代磁性存储材料。据悉该材料可利用光进行信息改写，速度较传统电驱动方式快约1000倍。新材料将有助于开发低功耗磁阻随机存取存储器（MRAM）和光电融合器件。随着人工智能（AI）应用不断扩大，耐用性高、能大幅降低耗电量的新一代电子元器件“自旋电子学器件（Spintronics Devices）”备受关注。自旋电子学器件同时利用电子所具有的电学属性“电荷”以及类似磁体行为的“自旋”特性。磁阻随机存取存储器（MRAM）就是一种自旋电子学器件。
—— 日经新闻
via 风向旗参考快讯 - Telegram Channel
日本量子科学技术研究开发机构等的研究团队开发出新一代磁性存储材料。据悉该材料可利用光进行信息改写，速度较传统电驱动方式快约1000倍。新材料将有助于开发低功耗磁阻随机存取存储器（MRAM）和光电融合器件。随着人工智能（AI）应用不断扩大，耐用性高、能大幅降低耗电量的新一代电子元器件“自旋电子学器件（Spintronics Devices）”备受关注。自旋电子学器件同时利用电子所具有的电学属性“电荷”以及类似磁体行为的“自旋”特性。磁阻随机存取存储器（MRAM）就是一种自旋电子学器件。
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