DRAM制造商探索新设计克服3D堆叠带来的障碍
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Telegraph
DRAM制造商探索新设计克服3D堆叠带来的障碍
内存行业以保守著称,通常倾向于渐进式改进而非革命性变革。 但是,当我们将目光投向本世纪末时,似乎很有可能看到 3D 单片堆叠 DRAM 的出现。 现在唯一的问题是,它将以何种形式出现,以及何时能够投入大规模生产。 闪存通过单片三维处理在容量方面取得了长足进步,而 DRAM 在实现类似的三维架构方面也面临着挑战。 主要障碍是需要足够大的电荷存储手段,通常采用电容器的形式。 要在单层 DRAM 芯片上增加数据存储量,最直接的方法就是缩小单元尺寸。 然而,传统 DRAM 设计中的垂直电容器会产生很厚的层,从而导致堆叠困难。…